型号:UNR42100RA | 类别:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 | 制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
封装:NS-B1 | 描述:TRANS NPN W/RES 210 HFE NS-B1 |
详细参数
类别 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
---|---|
描述 | TRANS NPN W/RES 210 HFE NS-B1 |
系列 | - |
制造商 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流_集电极(Ic)111最大222 | 100mA |
电压_集电极发射极击穿111最大222 | 50V |
电阻器_基极(R1)111欧222 | 47k |
电阻器_发射极(R2)111欧222 | - |
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE) | 160 @ 5mA,10V |
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222 | 250mV @ 300µA,10mA |
电流_集电极截止111最大222 | 500nA |
频率_转换 | 150MHz |
功率_最大 | 300mW |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | NS-B1 |
供应商设备封装 | NS-B1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844(微信同步) |
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
深圳市恒凯威科技开发有限公司 | 朱先生086-0755-22207335 0755-22318162 |
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